Home > R & D > ¿¬±¸ºÐ¾ß
¿¬±¸°³¹ß Àü·«
¹Ì·¡ °¡Ä¡ »ç¾÷ Ãß±¸
¿¬±¸ °³¹ß ÅõÀÚ È®´ë
°í±ÞÀη ¾ç¼º
°í±â´É¼º, Â÷º°È ±â¼ú °³¹ßÀ» ÅëÇÑ Â÷¼¼´ë ÷´Ü Àç·á ½ÃÀå ¼±µµ
¿¬±¸°³¹ß ºÐ¾ß ¹× ½ÇÀû
¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤¿ë DopantsÀÇ ÃÖÃÊ ±¹»êÈ °³¹ß
¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤¿ë CVD ¹× MOCVD¼ÒÀç °³¹ß
¹ÝµµÃ¼¿ë SiO2¿Í BPSGÀÇ ½Ä°¢Á¦(HF/BOE)
SiCI 4 µîÀÇ ±¤¼¶À¯ ¼ÒÀçÀÇ ±¹»êÈ °³¹ß
TFT-LCD Á¦Á¶ °øÁ¤¿ë ½Å±â´É¼º ¿¡ÃµÆ®ÀÇ °³¹ß
Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼¿ë ¼¼Á¤Á¦ °³¹ß
Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼¿ë Metal Etchant °³¹ß
Wafer Á¦Á¶¿ë ±â´É¼º Etchant °³¹ß
À¯±âEL¿ë Etchant °³¹ß
High-K, Low-K µî Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼¿ë ¹Ú¸·Àç·á °³¹ß
CMP Slurries (ILD, STI, W) °³¹ß
Lithium Battery Àç·á °³¹ß
Â÷¼¼´ë FPD¿ë À¯±âÀç·á ¹× °øÁ¤°³¹ß
ȯ°æÄ£ÈÇü ½ÅÀç·á ¹× °øÁ¤±â¼ú°³¹ß µî